Hebei Puxing Elektronik Teknolojisi, 6 inçlik düşük yoğunluklu kusurlu silisyum karbür epitaksiyel levha sanayileştirme projesini başlattı

Hebei Puxing Electronic Technology Co., Ltd., "6 inçlik düşük yoğunluklu kusurlu silisyum karbür epitaksiyel levha sanayileştirme projesinin" başlatıldığını duyurdu. Proje, ilk çevresel etki değerlendirmesi bilgi açıklamasını gerçekleştirecek. Projenin toplam yatırımı 350.7016 milyon yuan'a ulaşacak. Yaklaşık 4.000 metrekarelik inşaat alanına sahip şirketin 1 numaralı fabrikasında silisyum karbür (SiC) epitaksiyel ekipmanı yenilenecek ve genişletilecek. 6 inçlik düşük Yoğunluklu kusurlu SiC epitaksiyel malzeme üretim hattı oluşturmak için destek ekipmanı satın alınacaktır. Projenin tamamlanmasının ardından yıllık 240.000 SiC epitaksiyel levha üretim kapasitesine ulaşması bekleniyor.