Hebei Puxing Electronic Technology იწყებს 6 დიუმიანი დაბალი სიმკვრივის დეფექტის სილიციუმის კარბიდის ეპიტაქსიალური ვაფლის ინდუსტრიალიზაციის პროექტს

Hebei Puxing Electronic Technology Co.-მ გამოაცხადა "6-დიუმიანი დაბალი სიმკვრივის დეფექტური სილიციუმის კარბიდის ეპიტაქსიალური ვაფლის ინდუსტრიალიზაციის პროექტი". პროექტის ჯამური ინვესტიცია 350,7016 მლნ იუანს განახლდება და გაფართოვდება კომპანიის No1 ქარხანაში დაახლოებით 4000 კვადრატული მეტრი სილიკონის კარბიდის (SiC) კომპლექტით შეძენილი იქნება დამხმარე აღჭურვილობა 6 დიუმიანი დაბალი სიმკვრივის დეფექტის SiC ეპიტაქსიალური მასალის წარმოების ხაზის შესაქმნელად. პროექტის დასრულების შემდეგ, მოსალოდნელია, რომ მიაღწიოს 240,000 SiC ეპიტაქსიალური ვაფლის წარმოების წლიურ მოცულობას.