Hebei Puxing Electronic Technology loods 6-duim lae-digtheid defek silikonkarbied epitaksiale wafel industrialisasie projek

Hebei Puxing Electronic Technology Co., Ltd. het die bekendstelling aangekondig van die "6-duim lae-digtheid defekte silikonkarbied-epitaksiale wafer-industrialisasieprojek". Die totale belegging van die projek bereik 350,7016 miljoen yuan Dit sal opgeknap en uitgebrei word in die maatskappy se fabriek nr ondersteunende toerusting sal aangekoop word om 'n 6-duim lae-digtheid defek SiC epitaksiale materiaal produksielyn te vorm. Nadat die projek voltooi is, word verwag dat dit 'n jaarlikse produksiekapasiteit van 240,000 SiC epitaksiale wafers sal bereik.