Yangzhou Yangjie Technology ënnerschriwwen e Kontrakt fir nei Energie Gefier IGBT a Silicon Carbide Modul Verpakung Projeten

Kuerzem, Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. erfollegräich nei Energie Gefier IGBT a Silicon Carbide (SiC) Modul Verpakung Projeten ënnerschriwwen am Neie Joer zentraliséiert Ënnerschrëft Zeremonie vun der fortgeschratt Fabrikatioun Projet an Weiyang wirtschaftlech Entwécklung Zone, Hanjiang Distrikter, Yangzhou City, Jiangsu Provënz. D'Gesamtinvestitioun vum Projet erreecht 500 Millioune Yuan, an déi jährlech Steierbezuelung ass 15 Millioune Yuan. Focus op d'R&D an d'Fabrikatioun vun Automotive-Grad IGBT Moduler a SiC MOSFET Moduler.