Shínigh Teicneolaíocht Yangzhou Yangjie conradh le haghaidh tionscadal pacáistithe modúl nua IGBT feithicle fuinnimh agus chomhdhúile sileacain

Le déanaí, shínigh Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd tionscadail phacáistithe modúl nua feithicle fuinnimh IGBT agus chomhdhúile sileacain (SiC) go rathúil ag searmanas sínithe láraithe na Bliana Nua ar an tionscadal déantúsaíochta chun cinn i gCrios Forbartha Eacnamaíoch Weiyang, Dúiche Hanjiang, Cathair Yangzhou, Cúige Jiangsu. Sroicheann infheistíocht iomlán an tionscadail 500 milliún yuan, agus is é 15 milliún yuan an íocaíocht chánach bhliantúil. Fócas ar T&F agus déantúsaíocht modúl IGBT de ghrád feithicleach agus modúil SiC MOSFET.