Jita Semiconductor et Ningbo Anjian Semiconductor ont conclu une coopération pour développer conjointement des dispositifs SiC

Jita Semiconductor a conclu un accord de coopération avec Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (dénommé Anjian Semiconductor) pour développer conjointement des dispositifs SiC. Après avoir visité la ligne de production de modules semi-conducteurs d'Anjian, les deux parties ont discuté des besoins en produits et des projets de développement de suivi, et ont décidé d'accélérer le développement de dispositifs MOS planaires en carbure de silicium (SiC) et de travailler ensemble pour développer une nouvelle génération de dispositifs MOS SiC à tranchée. Dans le même temps, les deux parties lanceront également le développement de produits FRD haut de gamme basés sur des tranches de 8 pouces et une technologie d'injection d'hydrogène.