Jita Semiconductor e Ningbo Anjian Semiconductor chegaram a uma cooperação para desenvolver conjuntamente dispositivos SiC

A Jita Semiconductor chegou a um acordo de cooperação com a Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (conhecida como Anjian Semiconductor) para desenvolver em conjunto dispositivos SiC. Depois de visitar a linha de produção de módulos semicondutores da Anjian, as duas partes discutiram as necessidades do produto e projetos de desenvolvimento de acompanhamento, e decidiram acelerar o desenvolvimento de dispositivos MOS de carboneto de silício planar (SiC) e trabalhar juntos para desenvolver uma nova geração de dispositivos MOS de SiC de trincheira. Ao mesmo tempo, as duas partes também iniciarão o desenvolvimento de produtos FRD de alta qualidade baseados em wafers de 8 polegadas e processos de injeção de hidrogênio.