Jita Semiconductor og Ningbo Anjian Semiconductor har indgået et samarbejde om i fællesskab at udvikle SiC-enheder

Jita Semiconductor har indgået en samarbejdsaftale med Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (benævnt Anjian Semiconductor) om i fællesskab at udvikle SiC-enheder. Efter at have besøgt Anjians halvledermodulproduktionslinje diskuterede de to parter produktbehov og opfølgende udviklingsprojekter og besluttede at accelerere udviklingen af ​​plane siliciumcarbid (SiC) MOS-enheder og arbejde sammen om at udvikle en ny generation af trench SiC MOS-enheder. Samtidig vil de to parter også igangsætte udviklingen af ​​high-end FRD-produkter baseret på 8-tommer wafers og hydrogeninjektionsprocesser.