Jita Semiconductor en Ningbo Anjian Semiconductor zijn een samenwerking aangegaan om gezamenlijk SiC-apparaten te ontwikkelen

Jita Semiconductor heeft een samenwerkingsovereenkomst bereikt met Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (ook wel Anjian Semiconductor genoemd) om gezamenlijk SiC-apparaten te ontwikkelen. Na een bezoek aan de productielijn voor halfgeleidermodules van Anjian bespraken de twee partijen de productbehoeften en vervolgontwikkelingsprojecten, en besloten ze de ontwikkeling van planaire siliciumcarbide (SiC) MOS-apparaten te versnellen en samen te werken om een ​​nieuwe generatie geul SiC MOS-apparaten te ontwikkelen. Tegelijkertijd zullen de twee partijen ook de ontwikkeling initiëren van hoogwaardige FRD-producten op basis van 8-inch wafers en waterstofinjectieprocessen.