Jita Semiconductor og Ningbo Anjian Semiconductor har inngått et samarbeid for å i fellesskap utvikle SiC-enheter

Jita Semiconductor har inngått en samarbeidsavtale med Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (referert til som Anjian Semiconductor) for å utvikle SiC-enheter i fellesskap. Etter å ha besøkt Anjians produksjonslinje for halvledermoduler, diskuterte de to partene produktbehov og oppfølgingsutviklingsprosjekter, og bestemte seg for å akselerere utviklingen av plane silisiumkarbid (SiC) MOS-enheter og samarbeide om å utvikle en ny generasjon av grøft SiC MOS-enheter. Samtidig vil de to partene også sette i gang utviklingen av high-end FRD-produkter basert på 8-tommers wafere og hydrogeninjeksjonsprosesser.