Jita Semiconductor и Ningbo Anjian Semiconductor договорились о сотрудничестве для совместной разработки SiC-устройств.

Jita Semiconductor достигла соглашения о сотрудничестве с Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (именуемой Anjian Semiconductor) для совместной разработки SiC-устройств. После посещения линии по производству полупроводниковых модулей Anjian обе стороны обсудили потребности в продукции и проекты последующих разработок, а также решили ускорить разработку МОП-устройств из планарного карбида кремния (SiC) и работать вместе над разработкой нового поколения МОП-устройств из траншейного карбида кремния (SiC). В то же время обе стороны также инициируют разработку высококачественных продуктов FRD на основе 8-дюймовых пластин и процессов впрыска водорода.