El MOSFET de SiC de segunda generación de Xinta Electronics logra el liderazgo en la industria

Xinta Electronics ha producido con éxito en masa el MOSFET de SiC de segunda generación. Esta serie de productos ha logrado resultados notables en términos de factor de mérito del dispositivo y rendimiento antidiafonía de puerta, convirtiéndose en un líder de la industria. Al mismo tiempo, el próximo MOSFET de SiC de tercera generación de Xinta Electronics ha logrado importantes innovaciones tecnológicas a nivel de celda y su rendimiento general ha mejorado aún más.