Il MOSFET SiC di seconda generazione di Xinta Electronics raggiunge la leadership del settore

Xinta Electronics ha prodotto con successo in serie il MOSFET SiC di seconda generazione. Questa serie di prodotti ha ottenuto risultati notevoli in termini di fattore di merito del dispositivo e prestazioni anti-crosstalk del gate, diventando leader del settore. Allo stesso tempo, l’imminente MOSFET SiC di terza generazione di Xinta Electronics ha realizzato importanti innovazioni tecnologiche a livello di cella e le sue prestazioni complessive sono state ulteriormente migliorate.