SiC MOSFET generasi kedua Xinta Electronics mencapai kepemimpinan industri

Xinta Electronics telah berhasil memproduksi secara massal SiC MOSFET generasi kedua. Rangkaian produk ini telah mencapai hasil luar biasa dalam hal faktor keunggulan perangkat dan kinerja anti-crosstalk gerbang, menjadi pemimpin industri. Pada saat yang sama, SiC MOSFET generasi ketiga Xinta Electronics yang akan datang telah mencapai inovasi teknologi besar di tingkat sel, dan kinerjanya secara keseluruhan telah ditingkatkan lebih lanjut.