SiC MOSFET generasi kedua Xinta Electronics mencapai kepimpinan industri

Xinta Electronics telah berjaya mengeluarkan secara besar-besaran SiC MOSFET generasi kedua produk ini telah mencapai hasil yang luar biasa dari segi faktor merit peranti dan prestasi anti-crosstalk, menjadi peneraju industri. Pada masa yang sama, SiC MOSFET generasi ketiga Xinta Electronics yang akan datang telah mencapai inovasi teknologi utama di peringkat sel, dan prestasi keseluruhannya telah dipertingkatkan lagi.