芯辰半導體宣布新外延設備投產，並覆蓋全材料體系

芯辰半導體宣布其新外延設備已正式投產，涵蓋砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）光晶片四元化合物全材料系統。目前，該公司已成功實現波長範圍760nm至1700nm的外延片量產，外延均勻性控制在激射中心波長外2nm以內。此外，典型波長的雷射晶片外延片，如808、850、905、940、1064、1550、1654nm，已在自主產線中成功驗證了VCSEL或DFB晶片。