Samsung Electronics a développé avec succès une technologie de mémoire Flash NAND empilée à 400 couches

Selon les médias coréens, Samsung Electronics a achevé avec succès le développement d'une technologie de mémoire Flash NAND empilée à 400 couches dans son institut de recherche sur les semi-conducteurs. Cette technologie a été transférée à la production à grande échelle à l'usine n°1 du parc de Pyeongtaek. Le développement de cette technologie permettra à Samsung de maintenir sa position de leader dans la technologie NAND Flash, devant SK Hynix qui a annoncé son intention de produire en masse des NAND Flash à 321 couches. Samsung Electronics prévoit de présenter en détail sa mémoire Flash NAND TLC empilée à 400 couches d'une capacité de 1 To lors de la Conférence internationale sur les circuits à semi-conducteurs en février 2025, et devrait démarrer la production de masse au cours du second semestre 2025.