Samsung Electronics desenvolveu com sucesso tecnologia de memória NAND Flash empilhada de 400 camadas

De acordo com relatos da mídia coreana, a Samsung Electronics concluiu com sucesso o desenvolvimento da tecnologia de memória NAND Flash empilhada de 400 camadas em seu instituto de pesquisa de semicondutores. Esta tecnologia foi transferida para produção em larga escala na fábrica nº 1 do Parque Pyeongtaek. O desenvolvimento desta tecnologia permitirá à Samsung manter a sua posição de liderança na tecnologia NAND Flash, à frente da SK Hynix, que anunciou planos para produzir em massa NAND Flash de 321 camadas. A Samsung Electronics planeja apresentar em detalhes sua memória Flash TLC NAND empilhada de 400 camadas com capacidade de 1 TB na Conferência Internacional de Circuito de Estado Sólido em fevereiro de 2025, e espera-se que inicie a produção em massa no segundo semestre de 2025.