國內碳化矽基板技術取得突破

在國內，碳化矽基板技術已取得重要突破。山東天嶽公司、北京天科合達公司及河北同光晶體公司分別與山東大學、中科院物理所及中科院半導體所進行技術合作與轉化，成功研發出6吋導電性SiC基板與高純度半絕緣SiC襯底。此外，國內企業已實現4吋襯底的量產，並在6吋襯底研發方面取得進展。