Innenlandsk silisiumkarbidsubstratteknologi oppnår gjennombrudd

Innenlands har silisiumkarbidsubstratteknologi gjort viktige gjennombrudd. Shandong Tianyue Company, Beijing Tianke Heda Company og Hebei Tongguang Crystal Company gjennomførte henholdsvis teknisk samarbeid og transformasjon med Shandong University, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences og Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, og utviklet 6-tommers ledende SiC-substrater og høyrent semi-isolerende SiC-substrat. I tillegg har innenlandske selskaper oppnådd masseproduksjon av 4-tommers underlag og gjort fremskritt i forskning og utvikling av 6-tommers underlag.