Proses produksi substrat silikon karbida

Proses produksi substrat silikon karbida terutama meliputi langkah-langkah berikut: Yang pertama adalah persiapan bahan baku.Si dan C perlu disintesis menjadi bubuk partikel polikristalin SiC dengan perbandingan 1:1.Ukuran dan kemurnian partikelnya akan berpengaruh langsung kualitas kristal. Yang kedua adalah pemilihan kristal benih. Kristal benih merupakan substrat untuk pertumbuhan kristal, menyediakan struktur kisi dasar untuk pertumbuhan kristal dan juga mempengaruhi kualitas kristal. Lalu ada pertumbuhan kristal, yang merupakan proses inti produksi substrat SiC. Metode utamanya meliputi metode transpor uap fisik, metode deposisi uap kimia suhu tinggi, dan metode fase cair. Selanjutnya dilakukan pengolahan ingot yang diorientasikan melalui alat orientator kristal tunggal sinar-X, kemudian digiling dan dibulatkan, permukaan kristal benih dihilangkan, permukaan kubah dihilangkan, dan kristal silikon karbida diolah menjadi ukuran diameter standar. Lalu ada pemotongan kristal, dimana kristal yang tumbuh dipotong menjadi lembaran. Karena kekerasan silikon karbida berada di urutan kedua setelah berlian dan merupakan bahan yang sangat keras dan rapuh, proses pemotongannya memakan waktu lama dan mudah pecah. Metode pemotongan terutama mencakup pemotongan kawat mortar, pemotongan multi-kawat kawat berlian, dan pengelupasan iradiasi laser. Berikutnya adalah penggilingan dan pemolesan wafer untuk mengolah permukaan substrat menjadi bidang yang halus secara atom. Bahan abrasif yang umum digunakan termasuk boron karbida, berlian, dan bahan abrasif dengan kekerasan tinggi lainnya. Langkah terakhir adalah pemeriksaan pembersihan wafer, yang digunakan untuk menghilangkan partikel sisa dan kotoran logam selama pemrosesan dan melakukan pemeriksaan kualitas secara menyeluruh.