Proses pengeluaran substrat silikon karbida

Proses pengeluaran substrat silikon karbida terutamanya termasuk langkah-langkah berikut: Yang pertama ialah penyediaan bahan mentah Si dan C perlu disintesis ke dalam serbuk zarah polihabluran SiC dalam nisbah 1:1 Saiz zarah dan ketulenannya akan menjejaskan secara langsung kualiti kristal. Yang kedua ialah pemilihan kristal benih Kristal benih adalah substrat untuk pertumbuhan kristal, menyediakan struktur kekisi asas untuk pertumbuhan kristal dan juga mempengaruhi kualiti kristal. Kemudian terdapat pertumbuhan kristal, yang merupakan proses teras pengeluaran substrat SiC Kaedah utama termasuk kaedah penghantaran wap fizikal, kaedah pemendapan wap kimia suhu tinggi dan kaedah fasa cecair. Seterusnya ialah pemprosesan jongkong, yang berorientasikan melalui orientator kristal tunggal sinar-X, kemudian dikisar dan dibulatkan, permukaan kristal benih dikeluarkan, permukaan kubah dikeluarkan, dan kristal karbida silikon diproses menjadi saiz diameter standard. Kemudian terdapat pemotongan kristal, di mana kristal yang ditanam dipotong menjadi kepingan Memandangkan silikon karbida adalah kedua selepas berlian dalam kekerasan dan merupakan bahan yang sangat keras dan rapuh, proses pemotongan mengambil masa yang lama dan terdedah kepada pemecahan. Kaedah pemotongan terutamanya termasuk pemotongan dawai mortar, pemotongan berbilang wayar dawai berlian dan pengelupasan penyinaran laser. Seterusnya ialah pengisaran dan penggilap wafer untuk memproses permukaan substrat kepada satah yang licin secara atom. Langkah terakhir ialah pemeriksaan pembersihan wafer, yang digunakan untuk membuang sisa zarah dan kekotoran logam semasa pemprosesan dan menjalankan pemeriksaan kualiti yang komprehensif.