Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd.의 SiC 기판 프로젝트 및 분말 프로젝트가 합격 검사를 성공적으로 통과했습니다.

최근 Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd.의 SiC 기판 프로젝트 및 분말 프로젝트가 성공적으로 합격 검사를 통과했습니다. SiC 기판 프로젝트는 바오딩 국가첨단기술산업개발구에 위치한 회사의 첫 번째 SiC 기판 생산 라인의 3단계 건설 프로젝트입니다. 약 7년 간의 개발 끝에 2024년 2월 승인 검사가 성공적으로 완료되어 생산 라인이 완전히 생산에 투입되었음을 알렸습니다.