Хэбэй Тунгуан хагас дамжуулагч ХХК-ийн SiC субстратын төсөл, нунтаг төсөл нь хүлээн авах шалгалтыг амжилттай давлаа.

Саяхан Хэбэй Тунгуан хагас дамжуулагч ХХК-ийн SiC субстрат төсөл, нунтаг төсөл нь хүлээн авах шалгалтыг амжилттай давлаа. SiC субстрат төсөл нь Баодин үндэсний өндөр технологийн аж үйлдвэрийн хөгжлийн бүсэд байрлах компанийн анхны SiC субстрат үйлдвэрлэлийн шугамын гурав дахь шатны барилгын төсөл юм. Бараг долоон жил бүтээн байгуулалт хийсний дараа 2024 оны 2-р сард хүлээн авах шалгалтыг амжилттай хийж дууссан нь үйлдвэрлэлийн шугамыг бүрэн үйлдвэрлэлд нэвтрүүлсэн болохыг харуулж байна.