Puxing Electronics fjárfestir 350 milljónir til að auka framleiðslugetu SiC epitaxial obláta

Puxing Electronics tilkynnti fjárfestingu upp á 350 milljónir júana til að auka framleiðslugetu 6 tommu SiC epitaxial obláta. Verkefnið áformar að byggja framleiðslulínu með um það bil 4.000 fermetra svæði og kaupa 116 einingar (sett) af SiC epitaxy og tengdum búnaði. Gert er ráð fyrir að eftir verklok muni fyrirtækið ná markmiðinu um árlega framleiðslu á 240.000 SiC epitaxial oblátum. Puxing Electronics hefur verið að þróa SiC síðan 2016 og náði fjöldaframleiðslu á 6 tommu SiC epitaxial oblátum árið 2019. Sem stendur framleiðir fyrirtækið aðallega 1200V MOS vörur sem hafa staðist sannprófun ökutækjareglugerðar og eru notaðar í aðaldrifeiningar nýrra orkutækja. Puxing Electronics ætlar að flýta fyrir stækkun 8 tommu SiC epitaxy og leggja fyrir rannsóknir og þróun fjórðu kynslóðar hálfleiðaraefna.