Puxing Electronics investerar 350 miljoner för att utöka produktionskapaciteten för SiC epitaxial wafer

Puxing Electronics tillkännagav en investering på 350 miljoner yuan för att utöka produktionskapaciteten för 6-tums SiC epitaxialwafers. Projektet planerar att bygga en produktionslinje med en yta på cirka 4 000 kvadratmeter och köpa 116 enheter (set) av SiC-epitaxi och relaterad utrustning. Det förväntas att företaget efter färdigställandet kommer att uppnå målet om årlig produktion av 240 000 SiC epitaxiella wafers. Puxing Electronics har utvecklat SiC sedan 2016 och uppnådde massproduktion av 6-tums SiC epitaxiella wafers 2019. För närvarande tillverkar företaget huvudsakligen 1200V MOS-produkter, som har klarat fordonsregleringsnivåverifiering och används i huvuddrivmoduler för nya energifordon. Puxing Electronics planerar att påskynda expansionen av 8-tums SiC-epitaxi och lägga upp forskning och utveckling av fjärde generationens halvledarmaterial.