SK海力士將使用台積電3nm製程生產客製化HBM4內存

據報道，韓國記憶體晶片大廠SK海力士為了滿足重要客戶的需求，計劃從2025年下半年開始使用台積電的3nm製程為客戶生產客製化的第六代高頻寬記憶體HBM4。據悉，SK海力士已決定與台積電合作，最快在明年3月推出一款基於台積電3nm製程生產的垂直堆疊HBM4原型產品，主要的客戶是英偉達。 HBM4將採用邏輯基礎晶片（Logic Base Die）取代傳統的DRAM基礎晶片（DRAM Base Die），以提高效能和能源效率。這種邏輯基礎晶片位於DRAM的底部，主要作為GPU和記憶體之間的控制器，並且允許客戶進行自訂設計，添加自己的智慧財產權（IP），有助於實現HBM的客製化，進一步提高數據處理的效率。預計這將使功耗降低約30%。