SK Hynix wykorzysta proces 3 nm TSMC do wyprodukowania dostosowanej pamięci HBM4

Według doniesień, aby sprostać potrzebom ważnych klientów, południowokoreański producent chipów pamięci SK Hynix planuje wykorzystać proces 3 nm TSMC do produkcji dostosowanej do indywidualnych potrzeb, wysokoprzepustowej pamięci HBM4 szóstej generacji dla klientów od drugiej połowy 2025 roku. Poinformowano, że SK Hynix zdecydowało się na współpracę z TSMC i już w marcu przyszłego roku wprowadzi na rynek pionowo ułożony prototyp produktu HBM4 oparty na procesie 3 nm TSMC. Głównym klientem jest NVIDIA. HBM4 użyje matrycy logicznej, aby zastąpić tradycyjną matrycę bazową DRAM, aby poprawić wydajność i efektywność energetyczną. Ten podstawowy układ logiczny znajduje się na dole pamięci DRAM i służy głównie jako kontroler pomiędzy procesorem graficznym a pamięcią. Umożliwia klientom dostosowywanie projektów i dodawanie własnej własności intelektualnej (IP), co pomaga dostosować HBM i jeszcze bardziej usprawnić przetwarzanie danych efektywność. Oczekuje się, że pozwoli to zmniejszyć zużycie energii o około 30%.