Vorteile des BCD-Verfahrens

Der BCD-Prozess stellt gleichzeitig bipolare Bauelemente, CMOS-Bauelemente und DMOS-Leistungsbauelemente auf demselben Chip her, was die Vorteile einer hohen Transkonduktanz, einer starken Lastantriebsfähigkeit von bipolaren Bauelementen und einer hohen Integration und eines geringen Stromverbrauchs von CMOS vereint Gleichzeitig kann sich DMOS im Schaltmodus befinden. Es funktioniert unter Niedrigstrombedingungen, hat einen extrem geringen Stromverbrauch und kann ohne teure Verpackungs- und Kühlsysteme hohe Leistung an die Last liefern. Der BCD-Prozess zeichnet sich durch eine höhere Zuverlässigkeit, weniger elektromagnetische Störungen, eine kleinere Chipfläche und bessere elektrische Parameter aus, wodurch der Stromverbrauch erheblich gesenkt, die Systemleistung verbessert, Kosten für die Schaltungsverpackung eingespart und eine höhere Zuverlässigkeit erzielt werden können, wodurch eine wettbewerbsfähigere Fertigungslösung bereitgestellt wird.