TSMC informa una enorme salida del proceso de 3 nm de segunda generación

TSMC informó que están viendo rendimientos "enormes" en sus especificaciones de proceso de nivel de 3 nm de segunda generación. Según la compañía, la densidad de defectos D0 de N3E es comparable a la de N5, igualando las tasas de defectos de nodos más antiguos en el mismo punto de sus respectivos ciclos de vida. Esto permite a los clientes de vanguardia de TSMC, como Apple, aprovechar los beneficios de los nodos de proceso mejorados con relativa rapidez.