TSMC raportuje ogromną wydajność procesu 3 nm drugiej generacji

Firma TSMC poinformowała, że ​​widzi „ogromną” wydajność w przypadku specyfikacji procesu drugiej generacji na poziomie 3 nm. Zdaniem firmy gęstość defektów D0 w N3E jest porównywalna z gęstością N5 i odpowiada wskaźnikowi defektów starszych węzłów w tym samym momencie ich odpowiednich cykli życia. Dzięki temu wiodący klienci TSMC, tacy jak Apple, mogą stosunkowo szybko czerpać korzyści z ulepszonych węzłów procesowych.