Nippon Denso un Fuji Electric sadarbojas, lai izstrādātu SiC pusvadītāju projektu un saņemtu valdības subsīdijas

Japānas Ekonomikas, tirdzniecības un rūpniecības ministrija nesen paziņoja, ka tā piešķirs subsīdijas Nippon Denso un Fuji Electric kopīgi ieguldītajam silīcija karbīda (SiC) pusvadītāju projektam. Kopējā investīciju summa sasniedz 211,6 miljardus jenu (aptuveni 10,2 miljardus RMB). no kuriem subsīdijas summa var sasniegt 70,5 miljardus jenu (aptuveni 3,4 miljardus RMB). Šajā sadarbībā Denso būs atbildīgs par SiC substrātu ražošanu, savukārt Fuji Electric būs atbildīgs par SiC barošanas ierīču ražošanu un plāno paplašināt saistītās iekārtas. Paredzams, ka projekta ražošanas jauda būs 310 000 vienību gadā, un tā piegāde tiks uzsākta 2027. gada maijā.