Nippon Denso in Fuji Electric sodelujeta pri razvoju projekta polprevodnikov SiC in prejemata državne subvencije

Japonsko ministrstvo za gospodarstvo, trgovino in industrijo je nedavno objavilo, da bo zagotovilo subvencije za projekt polprevodnikov iz silicijevega karbida (SiC), ki sta ga skupaj vložila Nippon Denso in Fuji Electric. Skupni znesek naložbe dosega 211,6 milijarde jenov (približno 10,2 milijarde RMB). od tega lahko znesek subvencije doseže 70,5 milijarde jenov (približno 3,4 milijarde RMB). V tem sodelovanju bo Denso odgovoren za proizvodnjo SiC substratov, medtem ko bo Fuji Electric odgovoren za proizvodnjo SiC napajalnih naprav in načrtuje razširitev povezanih zmogljivosti. Projekt naj bi imel proizvodno zmogljivost 310.000 kosov na leto, dobava pa se bo začela maja 2027.