Nippon Denso и Fuji Electric си сътрудничат за разработване на проект за SiC полупроводници и получават държавни субсидии

Министерството на икономиката, търговията и промишлеността на Япония наскоро обяви, че ще предостави субсидии за проекта за полупроводници от силициев карбид (SiC), съвместно инвестиран от Nippon Denso и Fuji Electric. Общата инвестиция достига 211,6 милиарда йени (приблизително 10,2 милиарда RMB). размерът на субсидията може да достигне до 70,5 милиарда йени (приблизително 3,4 милиарда RMB). В това сътрудничество Denso ще отговаря за производството на SiC субстрати, докато Fuji Electric ще отговаря за производството на SiC захранващи устройства и планира да разшири свързаните съоръжения. Очаква се проектът да има производствен капацитет от 310 000 броя годишно и ще започне доставките през май 2027 г.