Nippon Denso dan Fuji Electric bekerja sama untuk mengembangkan proyek semikonduktor SiC dan menerima subsidi pemerintah

Kementerian Ekonomi, Perdagangan dan Industri Jepang baru-baru ini mengumumkan akan memberikan subsidi untuk proyek semikonduktor silikon karbida (SiC) yang diinvestasikan bersama oleh Nippon Denso dan Fuji Electric. Total jumlah investasi mencapai 211,6 miliar yen (sekitar RMB 10,2 miliar), yang jumlah subsidinya bisa mencapai 70,5 miliar yen (sekitar RMB 3,4 miliar). Dalam kerja sama ini, Denso akan bertanggung jawab memproduksi substrat SiC, sedangkan Fuji Electric akan bertanggung jawab memproduksi perangkat listrik SiC dan berencana memperluas fasilitas terkait. Proyek ini diharapkan memiliki kapasitas produksi 310.000 buah per tahun dan akan mulai dipasok pada Mei 2027.