Nippon Denso dan Fuji Electric bekerjasama untuk membangunkan projek semikonduktor SiC dan menerima subsidi kerajaan

Kementerian Ekonomi, Perdagangan dan Industri Jepun baru-baru ini mengumumkan bahawa ia akan memberikan subsidi untuk projek semikonduktor silikon karbida (SiC) yang dilaburkan bersama oleh Nippon Denso dan Fuji Electric Jumlah pelaburan mencecah 211.6 bilion yen (kira-kira RMB 10.2 bilion). yang mana jumlah subsidi boleh mencecah sehingga Mencapai 70.5 bilion yen (kira-kira RMB 3.4 bilion). Dalam kerjasama ini, Denso akan bertanggungjawab untuk menghasilkan substrat SiC, manakala Fuji Electric akan bertanggungjawab untuk mengeluarkan peranti kuasa SiC dan merancang untuk mengembangkan kemudahan yang berkaitan. Projek itu dijangka mempunyai kapasiti pengeluaran sebanyak 310,000 keping setahun dan akan mula dibekalkan pada Mei 2027.