Samsung Electronics коригира разпределението на капацитета на производствената линия P4 в Pyeongtaek Park

Наскоро беше съобщено, че Samsung Electronics е решила да коригира разпределението на капацитета на първата фаза на производствената линия P4 в Pyeongtaek Park от чисто производство на NAND Flash към производство на NAND Flash + DRAM в отговор на промените в пазарното търсене. Според докладите, първата фаза на P4 вече е инсталирала частично оборудване за производство на NAND флаш памети. В същото време Samsung Electronics планира да увеличи производствения капацитет на тази производствена линия до 10 000 пластини Очаква се първата фаза на P4 да има 30 000 до 40 000 броя DRAM в бъдеще.