Samsung Electronics dostosowuje alokację mocy produkcyjnych linii produkcyjnej P4 w Pyeongtaek Park

Niedawno doniesiono, że firma Samsung Electronics podjęła decyzję o dostosowaniu alokacji mocy produkcyjnych w pierwszej fazie linii produkcyjnej P4 w Pyeongtaek Park z czystej produkcji pamięci NAND Flash do produkcji pamięci NAND Flash + DRAM w odpowiedzi na zmiany popytu rynkowego. Według doniesień, w pierwszym etapie P4 zainstalowano już częściowo urządzenia do produkcji pamięci flash NAND. Samsung Electronics planuje do końca roku zwiększyć zdolność produkcyjną NAND tej linii produkcyjnej do 10 000 płytek miesięcznie Oczekuje się, że w przyszłości pierwsza faza P4 będzie dysponować 30 000–40 000 sztuk pamięci DRAM.