Entwicklungsstand der Siliziumkarbid-Industriekette

Die Siliziumkarbid-Industriekette umfasst hauptsächlich vier Hauptglieder: Substrat, Epitaxie, Geräte und Anwendungen. Das Substrat und die Epitaxieverbindungen nehmen den Hauptwert der Industriekette ein und machen jeweils 60 % der Gesamtkosten aus. Derzeit weisen Siliziumkarbid-Substrate die höchsten technischen Hürden in der Siliziumkarbid-Industriekette auf und ihre Herstellung ist schwierig, was zu höheren Kosten für SiC-Geräte führt.