智新半導體第二條生產線投入使用，生產800V碳化矽模組

2021年7月7日，以國際一流的第6代IGBT晶片技術為基礎的生產線啟動量產，華中地區首批自主生產的車規級IGBT模組產品正式下線。一期產能30萬隻，主要生產400V矽基IGBT模組。今年4月智新半導體第二條生產線投用，規劃產能40萬隻，相容生產400V矽基IGBT模組和800V碳化矽模組，產線的國產化率達70%。智新半導體表示，該生產線預計7月批量投產，10月大量投入使用。 800V碳化矽模組採用奈米銀燒結製程、銅鍵結技術，散熱性能較耐壓性更強，能量轉換效率提高3%。與同樣性能的國外產品相比，此模組成本降低30%，實現從有到優的突破。另外智新半導體正規劃第三條生產線，規劃年產能50萬隻，到2025年，智新半導體將達到總產能120萬隻IGBT模組，全力支撐「十四五」東風公司100萬輛新能源車的銷售目標。