홍콩과학기술단지와 JP반도체, 협력 양해각서 체결

홍콩과학기술단지(Hong Kong Science and Technology Parks)와 Jie Square Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.가 협력 양해각서(MOU)를 체결했습니다. 양사는 홍콩 사이언스 파크에 3세대 반도체에 초점을 맞춘 글로벌 R&D 센터를 설립하고 개장에 투자할 예정입니다. 홍콩 최초의 SiC 8인치 고급 수직 통합 웨이퍼 팹입니다. 이 프로젝트의 총 투자액은 약 HK$69억이며, 2028년에는 연간 240,000개의 SiC 웨이퍼를 생산하여 연간 생산량이 HK$110억 이상을 창출하고 700개 이상의 일자리를 창출할 것으로 예상됩니다.