Хонконгийн Шинжлэх ухаан технологийн парк болон JP Semiconductor хамтран ажиллах санамж бичигт гарын үсэг зурлаа

Хонг Конгийн Шинжлэх ухаан, технологийн парк болон Jie Square Semiconductor (Шанхай) ХХК хамтран ажиллах санамж бичигт гарын үсэг зурлаа. Хоёр тал Хонконгийн шинжлэх ухааны паркад гуравдагч үеийн хагас дамжуулагчийн судалгаа, шинжилгээний төвийг байгуулж, нээлтэд нь хөрөнгө оруулах юм. Хонг Конгийн анхны SiC 8 инчийн дэвшилтэт босоо тэнхлэгт . Төслийн нийт хөрөнгө оруулалт нь ойролцоогоор 6.9 тэрбум хонконг доллар бөгөөд 2028 онд жил бүр 240,000 ширхэг SiC хавтан үйлдвэрлэж, жилд 11 тэрбум хонконг доллараас илүү бүтээгдэхүүн гаргаж, 700 гаруй ажлын байр бий болгоно.