Análise das dificuldades na fabricação de wafers SiC de 8 polegadas

Uma das dificuldades na fabricação de SiC de 8 polegadas é o crescimento dos lingotes. Quando o diâmetro for ampliado de 6 para 8 polegadas, a dificuldade de crescimento do lingote aumentará exponencialmente. Os requisitos de qualidade para cristais de sementes de 8 polegadas são maiores. Ao mesmo tempo, problemas como campo de temperatura irregular causado por tamanho grande, distribuição de matéria-prima em fase gasosa e problemas de eficiência de transporte, bem como rachaduras de cristal causadas por aumento de estresse precisam ser resolvidos. resolvido.