TSMC و اینتل برای گره های زیر 3 نانومتری با هم رقابت می کنند
3 نانومتر
ASR
چانگان یدا
2027
چه
با
میدان
که
هزینه
این
و
چه
نه
زیر
نه
TSMC
راه
بازده
لین
سال
کلید
متر
تور
فرآیند
ساخت
گره
ترانزیستور
تور
بازده
فرآیند
هزینه
آزمایشگاه
دان
راه
هزینه
قاب
نه
سال
بازده
قاب
مک
او
این
میدان
زین
تولید
تولید
2024-12-27 16:39
7
در رقابت بین TSMC و اینتل برای گره‌های زیر 3 نانومتر، عامل کلیدی این است که چه کسی می‌تواند اولین کسی باشد که محصولات پربازده را با کمترین هزینه تولید می‌کند. TSMC با موفقیت CFET (ترانزیستور اثر میدان مکمل) را در آزمایشگاه ساخته است و اینتل قصد دارد گره فرآیند 14A را در سال 2027 راه اندازی کند.
