Micron plant den Bau einer neuen Fabrik für EUV-Lithographie-DRAM-Speicherwafer in Hiroshima

Micron plant, 600 bis 800 Milliarden Yen in den Bau einer neuen DRAM-Speicherwafer-Fabrik in Hiroshima, Japan, zu investieren. Die Waferfabrik wird EUV-Lithographiemaschinen einführen und plant, Anfang 2026 mit dem Bau zu beginnen. Die offizielle Produktion soll Ende 2027 aufgenommen werden. Micron wird die EUV-Lithographietechnologie offiziell für den 1-Gamma (nm)-Knoten der nächsten Generation einführen, der 2025 in Massenproduktion hergestellt werden soll.