Lihe Technology a GAC Aian kooperéieren fir d'Applikatioun vun Automotive-Grad Silicium Carbide Power Moduler ze förderen

51
Den 12. November huet Lihe Science and Technology uginn datt Basic Semiconductor, deen et investéiert an inkubéiert huet, a GAC Aian kooperéieren un der Uwendung vun Automotive-Grad Silicium Carbide Power Moduler fir technesch Léisungen ze bidden. Produkter wéi Pcore ™6 Automotive-Grad Siliziumkarbid Kraaftmoduler goufen op verschidde Modeller vu GAC Aian Mass produzéiert.