Mitsubishi Electric espande la produzione di semiconduttori di potenza in carburo di silicio

Mitsubishi Electric ha annunciato che raddoppierà il suo piano di investimenti portandolo a circa 260 miliardi di yen nei prossimi cinque anni, principalmente per costruire nuove fabbriche di wafer per aumentare la produzione di semiconduttori di potenza in carburo di silicio (SiC). L'azienda ha avviato la costruzione di un nuovo stabilimento SiC da 8 pollici nella prefettura di Kumamoto, in Giappone, e prevede di metterlo in funzione nell'aprile 2026.