Mitsubishi Electric erweidert Siliziumkarbid Kraaft Halbleiterproduktioun

Mitsubishi Electric huet ugekënnegt datt et säin Investitiounsplang op ongeféier 260 Milliarde Yen iwwer déi nächst fënnef Joer verduebelt, haaptsächlech fir de Bau vun neie Wafer Fabriken fir d'Produktioun vu Siliziumkarbid (SiC) Kraaft Hallefleit ze erhéijen. D'Firma huet de Bau vun enger neier 8-Zoll SiC Fabréck an der Kumamoto Prefecture, Japan ugefaang, a plangt et am Abrëll 2026 a Betrib ze setzen.