Sanan cooperatur cum STMicroelectronics ad cap Chongqing in 8-inch project carbidi siliconis

Pii VIII inch epitaxy carbide et chip indita investita et constructa a Sanan et STMicroelectronics in Chongqing plene capped est. Omnia in apparatum et technologiam productionis mundi primas 8 inch, et in tertia huius anni quarta parte ponenda sunt. Postquam facultatem attingit, annuum numerum 480,000 denariorum consequetur. Praeterea Sanan etiam 7 miliarda miliarda ad duas carbides silicones fabricandas substratas fabricandas collocavit ut copiae Anyfa Semiconductoris aequaretur.