Sanan cum STMicroelectronics cooperatur ad cap Chongqing in project carbide siliconis 8-inch

83
Pii VIII inch epitaxy carbide et chip indita investita et constructa a Sanan et STMicroelectronics in Chongqing plene capped est. Omnia in instrumento productionis et processuum 8-unciorum mundi adducentur et in tertia huius anni quarta parte ponendae sunt. Postquam facultatem attingit, annuum numerum 480,000 denariorum consequetur. Praeterea Sanan etiam 7 miliarda miliarda ad duas carbides silicones fabricandas substratas fabricandas collocavit ut copiae Anyfa Semiconductoris aequaretur.